2SB1699

更新时间： 2024-09-23 07:30:07

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SB1699 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1699 数据手册

Transistors

2SB1699

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For power amplification

4.5 0.1

1.6 0.2

1.5 0.1

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the maga-

zine packing.

0.4 0.08

1.5 0.1

0.5 0.08

0.4 0.04

3˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

45˚

3.0 0.15

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−60

1: Base

−6

2: Collector

3: Emitter

MiniP3-F1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−2

Peak collector current

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

−4

Marking Symbol: 3A

°C

150

T_stg

−55 to +150

Note) : Print circuit board: Copper foil area of 1 cm²or more, and the board

thickness of 1.7 mm for the collector portion

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

I_C= −1 mA, I_B= 0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cut-off current (Base open)

Forward current transfer ratio ^*

−60

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CE= −60 V, I_B= 0

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= − 0.2 A

V_CE= −4 V, I_C= −2 A

−100

250

µA



I_CEO

h_FE1

h_FE2

h_FE3

Collector-emitter saturation voltage ^*

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −2 A, I_B= −250 mA

− 0.5

µs

t_on

t_stg

t_f

I_C= −1 A, I_B1= 0.1 A

0.2

0.4

0.1

180

Storage time

I_B2= − 0.1 A, V_CC= −50 V

µs

Fall time

µs

Transition frequency

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Pulse measurement

Publication date: April 2004

SJC00304AED

12 3

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