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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1705TL
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2SB1705TL

更新时间： 2024-09-23 12:59:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TSMT3, 3 PIN

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2SB1705TL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-96
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.74
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：280 MHz
Base Number Matches：1

2SB1705TL 数据手册

 浏览型号2SB1705TL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1705TL的Datasheet PDF文件第3页 
2SB1705  
Transistors  
Low frequency amplifier  
2SB1705  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
Each lead has same dimensions  
0.4  
1.0MAX  
0.85  
0.7  
(
3
)
zFeatures  
0~0.1  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat) ≤ −250mV  
At IC=−1.5A / IB=−30mA  
(1)  
(2)  
0.95 0.95  
1.9  
0.16  
2.9  
ROHM : TSMT3  
2SB1705  
Abbreviated symbol: XW  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
−15  
−12  
−6  
Unit  
V
V
(3)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
I
C
−3  
−6  
500  
150  
A
Collector current  
I
CP  
A∗1  
mW∗2  
°C  
°C  
P
Tj  
Tstg  
C
Power dissipation  
Junction temperature  
(1)  
(2)  
Range of storage temperature  
−55 to +150  
∗1Single pulse, P =1ms  
W
∗2Each Termminal Mounted on a Recommended  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
−15  
−12  
−6  
−
−
−
270  
−
−
Typ.  
−
−
−
−
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
= −10µA  
= −1mA  
= −10µA  
CB= −15V  
EB= −6V  
I
I
I
C
C
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
−
V
E
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−100  
−100  
−250  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
I
−
Emitter cutoff current  
V
−120  
−
280  
30  
I
C
= −1.5A, I  
CE= −2V, I  
CE= −2V, I  
B
= −30mA  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
V
V
V
C
= −500mA∗  
=500mA, f=100MHz∗  
f
T
E
Transition frequency  
CB= −10V, I  
E
=0A, f=1MHz  
Cob  
−
Collector output capacitance  
∗ Pulsed  
Rev.B  
1/2  
123

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2SB1705TL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
US6T4TR ROHM

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