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2SB1722J

更新时间： 2024-09-23 21:22:35

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松下 - PANASONIC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN

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2SB1722J 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.02 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1722J 数据手册

Transistors

2SB1722J

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

–0.03

1.60

+0.03

–0.01

0.12

For high breakdown voltage low-frequency amplification

1.00 0.05

■ Features

0.27 0.02

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

(0.50)(0.50)

5˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−100

−5

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-89

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−20

°C

SSMini3-F1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−50

Marking Symbol: 4R

125

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−100

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cut-off current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_CE= −10 V, I_C= −2 mA

−100

−1

µA



I_CEO

h_FE

200

700

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= −1 mA

f_TV_CB= −5 V, I_E= 2 mA, f = 200 MHz

− 0.3

200

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: April 2004

SJC00305AED

12 3

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