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US6T4TR

更新时间： 2024-09-22 21:17:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6 PIN

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US6T4TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：280 MHz
Base Number Matches：1

US6T4TR 数据手册

 浏览型号US6T4TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号US6T4TR的Datasheet PDF文件第3页 
US6T4  
Transistors  
Low frequency amplifier  
US6T4  
zDimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat) : max. −250mV  
At IC=−1.5A / IB=−30mA  
ROHM : TUMT6  
Abbreviated symbol : T04  
SOT-363T  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−15  
−12  
−6  
Unit  
V
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
(6)  
(5)  
(4)  
V
I
C
−3  
−6  
400  
A
A
mW  
W
°C  
°C  
Collector current  
Power dissipation  
∗1  
∗2  
∗3  
I
CP  
P
C
1.0  
150  
−55 to +150  
(1)  
(2)  
(3)  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
Tj  
Tstg  
∗1 Single pulse, P  
W
=1ms  
∗2 Each Termminal Mounted on a Recommended  
t
∗3 Mounted on a 25mm×25mm× 0.8mm Ceramic substrate.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
−
−
−
−
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−15  
−12  
−6  
−
−
−
270  
−
−
I
I
I
C
= −10µA  
= −1mA  
V
C
−
V
E
= −10µA  
CB= −15V  
EB= −6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−100  
−100  
−250  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−120  
−
280  
30  
I
C
= −1.5A, I  
CE= −2V, I  
CE= −2V, I  
B
= −30mA  
= −500mA ∗  
=500mA, f=100MHz  
h
V
V
V
C
∗
Transition frequency  
f
T
E
CB= −10V, I  
E
=0A, f=1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
−
∗ Pulsed  
Rev.B  
1/2  
123

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US6T4TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
QST4TR ROHM

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2SB1705TL ROHM

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