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US6X8

更新时间： 2024-01-09 05:40:48
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罗姆 - ROHM /
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3页 69K
描述
General purpose amplification (30V, 1A)

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US6X8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.8Samacsys Description：Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN 30VCEO 1A SOT-363T
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：320 MHz

US6X8 数据手册

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US6X8  
Transistors  
General purpose amplification (30V, 1A)  
US6X8  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
zFeatures  
1) Collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
VCE (sat) : max. 350mV  
at Ic= 500mA / IB= 25mA  
0.2  
1.7  
2.1  
0.2  
1pin mark  
0.15Max.  
ROHM : TUMT6 Abbreviated symbol : X08  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zEquivalent Circuit  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
(6)  
(5)  
(4)  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
30  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
30  
V
6
V
Tr1  
Tr2  
I
C
1
A
A
Collector current  
∗
∗
1
2
I
CP  
2
0.4  
W/TOTAL  
W/TOTAL  
W/ELEMENT  
°C  
(1)  
(2)  
(3)  
∗
3
3
Power dissipation  
P
C
1.0  
∗
0.7  
Tj  
150  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗
1
2
3
Single pulse, P  
W
=1ms  
Each Terminal Mounted on a Recommended  
∗
Mounted on a 25mm×25mm×t 0.8mm ceramic substrate  
∗
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
30  
30  
6
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
BVEBO  
−
V
E
=10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
100  
100  
nA  
nA  
V
CB=30V  
I
−
VEB=6V  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−
120 350 mV  
I
C
/I  
B
=500mA/25mA  
=2V/100mA  
CE=2V, I =−100mA, f=100MHz  
CB=10V, I =0A, f=1MHz  
∗
∗
h
270  
−
−
320  
7
680  
−
−
V
V
V
CE/IC  
Transition frequency  
f
T
MHz  
pF  
E
Collector output capacitance  
Cob  
−
−
E
∗ Pulsed  
Rev.B  
1/2  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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