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US6X8_1

更新时间： 2024-02-27 13:23:57

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罗姆 - ROHM		/
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描述
General purpose amplification (30V, 1A)

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US6X8_1 数据手册

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US6X8

Transistors

General purpose amplification (30V, 1A)

US6X8

zDimensions (Unit : mm)

zApplication

Low frequency amplifier

zFeatures

1) Collector current is large.

2) Collector saturation voltage is low.

VCE (sat) : max. 350mV

at Ic= 500mA / IB= 25mA

ROHM : TUMT6 Abbreviated symbol : X08

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

zEquivalent Circuit

Parameter

Symbol

Limits

Unit

(6)

(5)

(4)

V

V

V

CBO

CEO

EBO

30

V

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

30

V

6

V

Tr1

Tr2

I

C

1

A

A

Collector current

∗

∗

1

2

I

CP

2

0.4

W/TOTAL

W/TOTAL

W/ELEMENT

°C

(1)

(2)

(3)

∗

3

3

Power dissipation

P

C

1.0

∗

0.7

Tj

150

Junction temperature

Range of storage temperature

Tstg

−55 to +150

°C

∗

1

2

3

Single pulse, P

W

=1ms

Each Terminal Mounted on a Recommended

∗

∗

Mounted on a 25mm×25mm×^t0.8mm ceramic substrate

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol Min. Typ. Max. Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

BV^CBO

30

30

6

−

−

−

−

−

−

−

V

V

I

I

I

C

=10µA

=1mA

Collector-emitter breakdown voltage BV^CEO

C

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

BV^EBO

−

V

E

=10µA

I

CBO

EBO

CE(sat)

FE

−

100

100

nA

nA

V

CB=30V

I

−

VEB=6V

Collector-emitter saturation voltage

DC current gain

V

−

120 350 mV

I

C

/I

B

=500mA/25mA

=2V/100mA

CE=2V, I =−100mA, f=100MHz

CB=10V, I =0A, f=1MHz

∗

∗

h

270

−

−

320

7

680

−

−

V

V

V

CE/IC

Transition frequency

f

T

MHz

pF

E

Collector output capacitance

Cob

−

−

E

∗ Pulsed

Rev.C

1/2

12 3

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