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QST4TR

更新时间： 2024-09-23 13:12:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TSMT6, 6 PIN

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QST4TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-95
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：280 MHzBase Number Matches：1

QST4TR 数据手册

 浏览型号QST4TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QST4TR的Datasheet PDF文件第3页 
QST4  
Transistors  
Low frequency amplifier  
QST4  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
2.8  
1.6  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat) : max. −250mV  
At IC=−1.5A / IB=−30mA  
Each lead has same dimensions  
ROHM : TSMT6  
QST4  
Abbreviated symbol : T04  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
−15  
−12  
Unit  
V
V
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
−6  
V
I
C
−3  
−6  
500  
A
Collector current  
I
CP  
A∗1  
mW∗2  
Power dissipation  
P
C
∗3  
(1)  
(2)  
(3)  
1.25  
150  
−55 to +150  
W
°C  
°C  
Junction temperature  
Tj  
Tstg  
Range of storage temperature  
∗1Single pulse, P  
∗2Each Termminal Mounted on a Recommended  
∗3Mounted on a 25mm 25mm  
t 0.8mm Ceramic substrate  
W
=1ms  
×
×
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
−
−
−
−
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
−15  
−12  
−6  
−
−
−
270  
−
−
I
I
I
C
=−10µA  
=−1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
C
−
V
E
=−10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−100  
−100  
−250  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
CB=−15V  
EB=−6V  
I
−
Emitter cutoff current  
V
−120  
−
280  
30  
I
C
=−1.5A, I  
CE=−2V, I  
CE=−2V, I  
B
=−30mA  
=−500mA∗  
=500mA, f=100MHz∗  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
V
V
V
C
f
T
E
Transition frequency  
CB=−10V, I  
E
=0A, f=1MHz  
Cob  
−
Collector output capacitance  
∗ Pulsed  
Rev.C  
1/2  
123

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QST4TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
US6T4TR ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6

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