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US6T6

更新时间： 2024-01-08 10:59:55
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罗姆 - ROHM 放大器
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3页 76K
描述
Low frequency amplifier

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US6T6 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：360 MHz
Base Number Matches：1

US6T6 数据手册

 浏览型号US6T6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号US6T6的Datasheet PDF文件第3页 
US6T6  
Transistors  
Low frequency amplifier  
US6T6  
zDimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
zFeatures  
1)  
2) V  
A collector current is large.  
<
−
CE(sat)  
180mV  
=
−
−
At I = 1A / I = 50mA  
B
C
ROHM : TUMT6 Abbreviated symbol : T06  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−30  
−30  
Unit  
V
V
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−6  
V
I
C
−2  
−4  
400  
1.0  
A
A
mW  
W
°C  
°C  
Collector current  
Power dissipation  
∗1  
∗2  
∗3  
I
CP  
P
C
(1)  
(2)  
(3)  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
∗1 Single pulse, Pw=1ms  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
∗2 Each terminal mounted on a recommended  
∗3 Mounted on a 25mm×25mm× 0.8mm Ceramic substrate.  
t
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
−15  
−12  
−6  
−
−
−
270  
−
−
−
−
−
−
−
I
I
I
C
=−10µA  
=−1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
C
−
V
E
=−10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−100  
−100  
−180  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
CB=−15V  
EB=−6V  
I
Emitter cutoff current  
V
−120  
−
360  
15  
I
C=−1A, I  
B
=−50mA  
=−200mA∗  
=200mA, f=100MHz∗  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
V
V
V
CE=−2V, I  
CE=−2V, I  
C
f
T
E
Transition frequency  
CB=−10V, I  
E
=0A, f=1MHz  
Cob  
−
Collector output capacitance  
∗ Pulsed  
Rev.C  
1/2  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
US6T6_1 ROHM

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 		Low frequency amplifier
US6T6TR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6
US6T7 ROHM

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 		Low frequency amplifier (-30V, -1.5A)
US6T7_1 ROHM

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 		Low frequency amplifier (-30V, -1.5A)
US6T8 ROHM

获取价格

 		General purpose amplification (−12V, −1.5A)
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 		General purpose amplification (−30V, −1A)
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 		2.5V Drive Nch+SBD MOSFET

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