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US6X5TR PDF预览

US6X5TR

更新时间： 2024-11-03 21:21:59
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TUMT6, 6 PIN

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US6X5TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：360 MHz
Base Number Matches：1

US6X5TR 数据手册

 浏览型号US6X5TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号US6X5TR的Datasheet PDF文件第3页 
US6X5  
Transistors  
Low frequency amplifier (12V, 2A)  
US6X5  
zDimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat) : max. 370mV  
At lc=1.5A / lB=75mA  
ROHUMT6 Abbreviated symbol
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zEquvaleu
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
15  
12  
6
Unit  
V
(6)  
5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
I
C
4
400  
A
A∗
Collector current  
I
CP  
Power dissipation  
P
C
(1)  
(2)  
(3)  
1.0  
W
Junction temperature  
Tj  
Tsg  
150  
−55 to +150  
°C  
°C  
Range of storage temperature  
∗1 Single pulse, P =1ms  
W
∗2Each Terminal Mounted on omended  
∗3Mounted on a 25
mm  
8m ceramic substrate  
zElectrical charcteristics (Ta=°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
−
−
−
−
−
90  
−
360  
20  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
15  
12  
6
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
Collectoase breakdown volt
tor-emitter breakdown voltae  
er-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
C
−
V
E
=10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
270  
−
100  
100  
180  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
CB=15V  
EB=6V  
I
Emitter cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C=1A, I  
B
=50mA  
h
V
V
V
CE=2V, I  
CE=2V, I  
C
=200mA∗  
f
T
E
=−200mA, f=100MHz∗  
Transition frequency  
CB=10V, I  
E=0A, f=1MHz  
Cob  
−
−
Collector output capacitance  
∗ Pulsed  
Rev.C  
1/2  
123

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US6X5TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD2653TL ROHM

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT3, 3
2SD2700TL ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TUMT3, 3

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