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US6X7TR

更新时间： 2024-11-21 21:12:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TUMT6, 6 PIN

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US6X7TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：400 MHzBase Number Matches：1

US6X7TR 数据手册

 浏览型号US6X7TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号US6X7TR的Datasheet PDF文件第3页 
US6X7  
Transistors  
General purpose amplification (12V, 1.5A)  
US6X7  
zDimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
VCE(sat) : max. 200mV  
at IC=500mA / IB = 25mA  
ROHM : TUMT6 Abbreviated symbol: X07  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zEquivalent circuit  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
15  
V
12  
V
6
V
A
I
C
1.5  
Collector current  
1
2
3
3
∗
∗
∗
I
CP  
3
A
(1)  
(2)  
(3)  
400  
mW/Total  
W/Total  
W/Element∗  
Power dissipation  
P
C
1
0.7  
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Range of storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
1 Single pulse, P =1ms  
W
∗
∗
∗
2 Each Terminal Mounted on a Recommended  
3 Mounted on a 25mm 25mm+ t0.8mm ceramic substrate  
+
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
15  
12  
6
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
−
V
E
=10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
100  
100  
nA  
nA  
V
CB=15V  
Emitter cutoff current  
I
−
VEB=6V  
Collector- emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−
85 200 mV  
I
C
/I  
B
=500mA/25mA  
=2V/200mA  
CE=2V, I = −200mA, f=100MHz  
CB=10V, I =0A, f=1MHz  
∗
∗
h
270  
−
−
680  
−
−
V
V
V
CE/IC  
Transition frequency  
f
T
400  
12  
MHz  
pF  
E
Collector output capacitance  
Cob  
−
−
E
Pulsed  
∗
Rev.D  
1/2  
123

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US6X7TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
QSX7TR ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, X07, 6

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