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US6T6TR

更新时间： 2024-11-11 21:03:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 144K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6 PIN

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US6T6TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：360 MHz
Base Number Matches：1

US6T6TR 数据手册

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US6T6  
Transistors  
Low frequency amplifier  
US6T6  
zDimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
zFeatures  
1)  
2) V  
A collector current is large.  
<
−
CE(sat)  
180mV  
=
−
−
At I = 1A / I = 50mA  
B
C
ROHM : TUMT6 Abbreied sol : T06  
zEquivalent ciruit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Lim
30  
0  
Unit  
V
V
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−6  
V
I
C
−2  
−4  
400  
1.0  
A
mW  
W
°C  
°C  
Collector current  
Power dissipation  
∗2  
∗3  
CP  
P
(1)  
(2)  
(3)  
Junction temperature  
Range of storage temptur
∗1 Single pulse,
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +0  
∗2 Each termirecommended  
∗3 Mounted on a m×25mm× 0.8mm Ceramic su.  
t
zElecal characteristics =25°
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
−15  
−12  
−6  
−
−
−
270  
−
−
−
−
−
−
−
I
I
I
C
=−10µA  
=−1mA  
tor-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
C
−
V
E
=−10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−100  
−100  
−180  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
CB=−15V  
EB=−6V  
I
Emitter cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−120  
−
360  
15  
I
C=−1A, I  
B
=−50mA  
=−200mA∗  
=200mA, f=100MHz∗  
h
V
V
V
CE=−2V, I  
CE=−2V, I  
C
f
T
E
Transition frequency  
CB=−10V, I  
E
=0A, f=1MHz  
Cob  
−
Collector output capacitance  
∗ Pulsed  
Rev.C  
1/2  
123

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US6T6TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1690KT146 ROHM

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 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMT3, SC-
2SB1690TL ROHM

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 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TSMT3, 3
2SB1730TL ROHM

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 暂无描述

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 		General purpose amplification (−12V, −1.5A)
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 		General purpose amplification (−12V, −1.5A)
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US6U37TR ROHM

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 		Low frequency amplifier (12V, 3A)

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