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2SB1690KT146

更新时间： 2024-09-23 20:00:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 54K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMT3, SC-59, 3 PIN

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2SB1690KT146 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：1.7
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：360 MHz
Base Number Matches：1

2SB1690KT146 数据手册

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2SB1690K  
Transistors  
General purpose amplification(−12V, −2A)  
2SB1690K  
zExternal dimensions (Units : mm)  
zApplications  
Low frequency amplifier  
Deiver  
zFeatures  
1.6  
1) A collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
VCE(sat) ≤ −180mV  
2.8  
0.3Min.  
at IC= −1A / IB= −50mA  
Each lead has same dimensions  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
JEDEC : SOT-346  
abbreviated symbol : FV  
zPackaging specifications  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Package  
Taping  
T146  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−15  
Type  
Code  
−12  
V
Basic ordering  
unit (pieces)  
3000  
−6  
V
−2  
A
Collector current  
IC  
−4  
A∗  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
200  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
∗ Single pulse Pw=1ms  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Typ.  
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
Min.  
−15  
−12  
−6  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown viltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−
−
−
−
−
I
I
I
C
= −10µA  
= −1mA  
−
V
C
−
V
E
= −10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−100  
−100  
nA  
nA  
mV  
−
V
CB= −15V  
EB= −6V  
Emitter cutoff current  
I
V
−
−
Collerctor-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−120 −180  
I
C
= −1A, I  
B
= −50mA  
= −200mA∗  
= −200mA , f=100MHz∗  
=0mA, f=1MHz  
h
270  
−
680  
−
V
V
V
CE= −2V, I  
C
Transition frequency  
fT  
−
−
360  
15  
MHz  
pF  
CE= −2V, I  
E
Output capacitance  
Cob  
−
CB= −10V, I  
E
∗ Pulsed  
Rev.A  
1/2  
123

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2SB1690KT146 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1690TL ROHM

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TSMT3, 3
2SB1730TL ROHM

类似代替

 暂无描述
US6T6TR ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1690TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TSMT3, 3
2SB1691 RENESAS

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 		Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1691_11 RENESAS

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 		Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1691WL RENESAS

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 		Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
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 		Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
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2SB1693 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type
2SB1694 ROHM

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 		General purpose amplification (−30V, −1A)
2SB1694 CJ

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 		SOT-323
2SB1694 BL Galaxy Electrical

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 		30V,1A,Medium Power PNP Bipolar Transistor

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