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US6T8TR

更新时间： 2024-09-22 13:15:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
3页 71K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6 PIN

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US6T8TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：400 MHzBase Number Matches：1

US6T8TR 数据手册

 浏览型号US6T8TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号US6T8TR的Datasheet PDF文件第3页 
US6T8  
Transistors  
General purpose amplification (  
−12V,  
−1.5A)  
US6T8  
zDimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
−
VCE (sat) ≤ 200mV  
−
−
At IC = 500mA / IB = 25mA  
ROHM : TUMT6 Abbreviated symbol : T08  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−15  
−12  
−6  
Unit  
V
V
V
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
I
C
−1.5  
−3  
400  
A
A
Collector current  
∗1  
∗2  
∗3  
I
CP  
mW/TOTAL  
W/TOTAL  
W/ELEMENT ∗3  
Power dissipation  
P
C
1.0  
0.7  
(1)  
(2)  
(3)  
Junction temperature  
Tj  
150  
−55 to +150  
°C  
°C  
Range of storage temperature Tstg  
∗1 Single pulse, Pw=1ms  
∗2 Each Terminal Mounted on a Recommended  
t
∗3 Mounted on a 25mm  
×
25mm  
×
0.8mm Ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
−15  
−12  
−6  
−
−
−
270  
Typ.  
−
−
−
−
−
−85  
−
Max.  
−
−
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
V
V
I
I
I
C
= −10µA  
= −1mA  
= −10µA  
CB= −15V  
EB= −6V  
C
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
−
V
E
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−100  
−100  
−200  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
V
I
V
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C
= −500mA, I  
B
= −25mA  
= −200mA∗  
=200mA, f=100MHz  
h
V
V
V
CE= −2V, I  
CE= −2V, I  
C
∗
Transition frequency  
f
T
−
−
400  
MHz  
E
CB= −10V, I  
E
=0A, f=1MHz  
Corrector output capacitance  
∗Pulsed  
Cob  
12  
−
pF  
Rev.B  
1/2  
123

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US6T8TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
QST8TR ROHM

功能相似

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