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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 13 weeks |
| 风险等级： | 5.75 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 270 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 280 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| US6T6 | ROHM |
获取价格 |
Low frequency amplifier |
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| US6T6_1 | ROHM |
获取价格 |
Low frequency amplifier |
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| US6T6TR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6 |
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| US6T7 | ROHM |
获取价格 |
Low frequency amplifier (-30V, -1.5A) |
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| US6T7_1 | ROHM |
获取价格 |
Low frequency amplifier (-30V, -1.5A) |
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| US6T8 | ROHM |
获取价格 |
General purpose amplification (−12V, −1.5A) |
|
| US6T8_1 | ROHM |
获取价格 |
General purpose amplification (−12V, −1.5A) |
|
| US6T8TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TUMT6, |
|
| US6T9 | ROHM |
获取价格 |
General purpose amplification (−30V, −1A) |
|
| US6T9_1 | ROHM |
获取价格 |
General purpose amplification (−30V, −1A) |
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