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US6T5TR

更新时间： 2024-09-22 20:10:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6 PIN

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US6T5TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.75最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：280 MHzBase Number Matches：1

US6T5TR 数据手册

 浏览型号US6T5TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号US6T5TR的Datasheet PDF文件第3页 
US6T5  
Transistors  
Low frequency amplifier (-30V, -2A)  
US6T5  
zDimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat) : max. −370mV  
At lc= −1.5A / lB= −75mA  
ROHM : TUMT6  
Abbreviated symbol : T05  
SOT-363T  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−30  
−30  
−6  
Unit  
V
V
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
I
C
−2  
−4  
400  
1.0  
A
A
mW  
W
°C  
°C  
Collector current  
Power dissipation  
∗1  
∗2  
∗3  
I
CP  
P
C
(1)  
(2)  
(3)  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
∗1 Single pulse, Pw=1ms  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
∗2 Each terminal mounted on a recommended  
t
∗3 Mounted on a 25mm×25mm× 0.8mm Ceramic substrate.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
−30  
−30  
−6  
−
−
−
270  
−
−
Typ.  
−
−
−
−
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff curent  
I
I
I
C
= −10µA  
= −1mA  
V
C
−
V
E
= −10µA  
CB= −30V  
EB= −6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−100  
−100  
−370  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−180  
−
280  
20  
I
C
= −1.5A, I  
CE= −2V, I  
CE= −2V, I  
B
= −75mA  
= −200mA  
=200mA, f=100MHz  
h
V
V
V
C
Transition frequency  
fT  
E
CB= −10V, I  
E=0A, f=1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
−
Rev.B  
1/2  
123

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