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2SB1708

更新时间： 2024-09-22 22:52:39
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罗姆 - ROHM 放大器
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3页 44K
描述
Low frequency amplifier

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2SB1708 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-96
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.75
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SB1708 数据手册

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2SB1708  
Transistors  
Low frequency amplifier  
2SB1708  
!External dimensions (Units : mm)  
!Application  
Low frequency amplifier  
Driver  
2.8  
1.6  
!Features  
1) A collector current is large. (3A)  
2) VCE(sat) ≤ −250mV  
0.3 0.6  
−
−
At IC = 1.5A / IB = 30mA  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : YY  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
ROHM : TSMT3  
!Packaging specifications  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Package  
Taping  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
−30  
−30  
−6  
−3  
Unit  
V
V
V
A
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Code  
T146  
3000  
Type  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Basic ordering unit (pieces)  
2SB1708  
I
C
Collector current  
I
CP  
−6  
A
P
Tj  
Tstg  
C
500  
150  
−55~+150  
mW  
°C  
°C  
Power dissipation  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
Single pulse, PW=1ms  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
−30  
−30  
−6  
−
Typ.  
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−
−
I
I
I
C
=−10µA  
=−1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
V
C
−
−
V
E
=−10µA  
CB=−30V  
EB=−6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−100  
−100  
−250  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
V
V
I
−
−
Emitter cutoff current  
V
−
−180  
−
I
C
=−1.5A, I  
CE=−2V, I  
CE=−2V, IE  
B
=−30mA  
=−200mA  
=200mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
270  
−
V
V
V
C
f
T
200  
40  
MHz  
pF  
Transition frequency  
CB=−10V, I  
E
Cob  
−
−
Collector output capacitance  
Pulsed  
1/2  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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