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2SB1724AP

更新时间： 2024-09-23 19:37:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	210K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TO-220D-A1, 3 PIN

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2SB1724AP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-220D-A1, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1724AP 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Power Transistors

2SB1724, 2SB1724A

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

4.6 0.2

For power amplification

9.9 0.3

2.9 0.2

Complementary to 2SD2693 and 2SD2693A

φ 3.2 0.1

■ Features

• Wide safe operation area

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.8 0.1

0.55 0.15

Parameter

Collector-base voltage

(Emitter open)

Symbol

Rating

−60

Unit

2SB1724

V_CBO

2.54 0.30

5.08 0.50

2SB1724A

−80

Collector-emitter voltage 2SB1724

(Base open) 2SB1724A

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

V_CEO

−60

1: Base

2: Collector

3: Emitter

−80

−6

TO-220D-A1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−3

Internal Connection

Peak collector current

Collector power dissipation

−5

T_a= 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Collector-emitter voltage

(Base open)

Symbol

Conditions

Min

−60

−80

Typ

Max

Unit

2SB1724

2SB1724A

2SB1724

2SB1724A

2SB1724

2SB1724A

V_CEO

I_C= −30 mA, I_B= 0

Collector-base cutoff

current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff

current (Base open)

I_CBO

I_CEO

I_EBO

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CB= −80 V, I_E= 0

V_CE= −60 V, I_B= 0

V_CE= −80 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= −3 A

−100

µA

Emitter-base cutoff current (Collector open)

−1

Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

250



Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= − 0.375 A

− 0.8

MHz

µs

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

0.15

0.8

I_C= −1 A, Resistance loaded

I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

V_CC= 50 V

µs

0.2

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

Publication date: January 2005

SJD00323BED

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1724AQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB1724P	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB1724Q	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB173	ETC	获取价格	Ge PNP Alloy Junction
2SB1730	ROHM	获取价格	General purpose amplification(-12V, -2A)
2SB1730_1	ROHM	获取价格	General purpose amplification(−12V, −2A)
2SB1730TL	ROHM	获取价格	暂无描述
2SB1731	ROHM	获取价格	Low frequency amplifier
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2SB1731TE25	ROHM	获取价格	Rectifier Diode,

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