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2SB1707T146

更新时间： 2024-09-23 14:46:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TSMT3, 3 PIN

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2SB1707T146 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-96
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.78
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

2SB1707T146 数据手册

 浏览型号2SB1707T146的Datasheet PDF文件第2页 
2SB1707  
Transistors  
Low frequency amplifier  
2SB1707  
!External dimensions (Units : mm)  
!Application  
Low frequency amplifier  
Driver  
2.8  
1.6  
!Features  
1) A collector current is large. (4A)  
2) VCE(sat) ≤ −250mV  
0.3 0.6  
−
−
At IC = 2A / IB = 40mA  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : YW  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
ROHM : TSMT3  
!Packaging specifications  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
−15  
−12  
Unit  
V
V
Package  
Taping  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Code  
T146  
3000  
Type  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Basic ordering unit (pieces)  
−6  
V
2SB1707  
I
C
−4  
−8  
A
A
Collector current  
I
CP  
P
Tj  
Tstg  
C
500  
150  
−55~+150  
mW  
°C  
°C  
Power dissipation  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
Single pulse, PW=1ms  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
−15  
−12  
−6  
−
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
I
I
I
C
= −10µA  
= −1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
V
C
−
−
V
E
= −10µA  
CB= −15V  
EB= −6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−100  
−100  
−250  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
V
V
I
−
−
Emitter cutoff current  
V
−
−150  
−
I
C= −2A, I  
B
= −40mA  
= −200mA  
=200mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
270  
−
V
V
V
CE= −2V, I  
C
f
T
250  
60  
MHz  
pF  
CE= −2V, IE  
Transition frequency  
CB= −10V, I  
E
Cob  
−
−
Collector output capacitance  
Pulsed  
1/2  
12

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