5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-96 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.72 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 270 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1689T106 | ROHM |
类似代替  |
PNP -1.5A -12V Low Frequency Amplifier Transistors |
|
| 2SB1732TL | ROHM |
功能相似 |
Genera purpose amplification(â12V, â1.5A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB171 | ETC |
获取价格 |
Ge PNP Alloy Junction |
|
| 2SB1710 | ROHM |
获取价格 |
General purpose amplification (−30V, −1A) |
|
| 2SB1710_1 | ROHM |
获取价格 |
General purpose amplification (−30V, −1A) |
|
| 2SB1710TL | LITTELFUSE |
获取价格 |
General purpose amplification (â30V, â1A) |
|
| 2SB1713 | ROHM |
获取价格 |
-3A / -12V Bipolar transistor |
|
| 2SB1713T100 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPT3, 3 P |
|
| 2SB1713U | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
| 2SB1714 | ROHM |
获取价格 |
-2A / -30V Bipolar transistor |
|
| 2SB1714T100 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPT3, 3 P |
|
| 2SB172 | ETC |
获取价格 |
GE PNP ALLOY JUNCTION |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
