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2SB1732TL

更新时间： 2024-09-23 12:52:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
Genera purpose amplification(−12V, −1.5A)

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2SB1732TL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：400 MHzBase Number Matches：1

2SB1732TL 数据手册

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2SB1732  
Transistors  
Genera purpose amplification(−12V, −1.5A)  
2SB1732  
zDimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
VCE(sat) ≤ −200mV  
ROHM : TUMT3 Abbreviated symbol : EV  
(1)Base  
(2)Emitter  
(3)Collector  
at IC = −500mA / IB = −25mA  
zPackaging specifications  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−15  
−12  
−6  
−1.5  
−3  
400  
150  
Unit  
V
V
Package  
Taping  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Type  
Code  
TL  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
V
2SB1732  
I
C
A
Collector current  
1
I
CP  
A∗  
mW∗  
°C  
2
Power dissipation  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
P
C
Tj  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗
1
Single pulse, P  
W
=1ms  
∗
2
Each Terhinal Mounted on a Recommended Land  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
−15  
−12  
−6  
−
−
−
270  
−
−
−
−
−
−
−
−85  
−
400  
12  
I
I
I
C
=−10µA  
=−1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
C
−
V
E
=−10µA  
CB=−15V  
EB=−6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−100  
−100  
−200  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
I
Emitter cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C
=−500mA, I =−25mA  
B
∗
h
V
V
V
CE=−2V, I  
C=−200mA  
∗
f
T
CE=−2V, I  
E
=200mA, f=100MHz  
Transition frequency  
CB=−10V, I  
E
=0A, f=1MHz  
Cob  
−
Corrector output capacitance  
∗ Pulsed  
Rev.B  
1/2  
123

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2SB1732TL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1709TL ROHM

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