2SB1689T106

更新时间： 2024-11-11 12:33:35

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罗姆 - ROHM		晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
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7页	368K
描述
PNP -1.5A -12V Low Frequency Amplifier Transistors

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2SB1689T106 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	13 weeks	风险等级：	1.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	270	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	400 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1689T106 数据手册

2SB1689

Datasheet

PNP -1.5A -12V Low Frequency Amplifier Transistors

lOutline

UMT3

Parameter

Value

12V

1.5A

Collector

V_CEO

I_C

Base

Emitter

2SB1689

SOT-323 (SC-70)

lFeatures

1) A Collecotr current is large.General Purpose.

2) Collector saturation voltage is low.

V_CE(sat)200mV

At I_C= 500mA, I_B= 25mA

3) Complementary NPN Types :

2SD2652

4) Lead Free/RoHS Compliant.

lInner circuit

lApplications

Collector

Driver circuit

Base

Emitter

lPackaging specifications

Package

size

(mm)

Basic

ordering

unit (pcs)

Taping

code

Reel size Tape width

Part No.

2SB1689

Package

UMT3

Marking

(mm)

2021

T106

180

3,000

www.rohm.com

2013.05 - Rev.A

1/6

12 3 4 5 6 7

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2SB1689T106 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SB1709TL	ROHM	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
2SB1732TL	ROHM	功能相似	Genera purpose amplification(â12V, â1.5A)

与2SB1689T106相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1690	ROHM	获取价格	General purpose amplification(−12V, −2A)
2SB1690_05	ROHM	获取价格	General purpose amplification(â12V, â2A)
2SB1690_1	ROHM	获取价格	General purpose amplification(−12V, −2A)
2SB1690K	ROHM	获取价格	General purpose amplification (-12V, -2A)
2SB1690KT146	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMT3, SC-
2SB1690TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TSMT3, 3
2SB1691	RENESAS	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1691_11	RENESAS	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1691WL	RENESAS	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1691WL-TL-E	RENESAS	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

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