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2SB1714T100

更新时间： 2024-09-23 14:46:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 80K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPT3, 3 PIN

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2SB1714T100 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：280 MHzBase Number Matches：1

2SB1714T100 数据手册

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2SB1714  
Transistors  
-2A / -30V Bipolar transistor  
2SB1714  
zApplications! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! !  
zDimensions (Unit : mm)  
Low frequency amplification, driver  
MPT3  
zFeatures  
1) Collector current is high.  
2) Low collector-emitter saturation voltage.  
(VCE( sat) d -370mV, at IC= -1.5A, IB= -75mA)  
(1)Base  
(2)Collector  
(3)Emitter  
zStructure  
Abbreviated symbol : XY  
PNP epitaxial planar silicon transistor  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)ꢀ ꢀꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ zPackaging specifications  
Parameter  
Symbol  
Limits  
−30  
−30  
−6  
Unit  
Package  
MPT3  
Taping  
T100  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
Packaging type  
Code  
V
V
Part No.  
Basic ordering unit (pieces) 1000  
DC  
I
C
−2  
2SB1714  
A
Collector current  
∗1  
Pulse  
I
CP  
−4  
0.5 ∗2  
Power dissipation  
PC  
W
∗3  
2
Junction temperature  
tj  
tstg  
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
−55 to +150  
∗1 Pw=1ms, Pulsed.  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land.  
∗3 Mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.  
zElectrical characteristics (Ta=25qC)  
Parameter  
Symbol  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
−30  
−30  
−6  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
I
I
I
C
= −1mA  
= −10μA  
V
C
E
= −10μA  
CB= −30V  
EB= −6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−100  
−100  
V
V
nA  
Emitter cut-off current  
I
−
ꢀ
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−
−180 −370 mV  
IC/IB= −1.5A/ −75A  
h
270  
−
680  
−
V
V
V
CE= −2V, I  
C
= −200mA  
=200mA , f=100MHz  
=0mA , f=1MHz  
Transition frequency  
f
T
−
−
280  
20  
−
−
MHz  
pF  
CE= −2V, I  
E
Collector output capacitance  
Cob  
CB= −10V , I  
E
ꢀꢁPulsed  
Rev.A  
1/2  
123

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