是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 16 weeks | 风险等级: | 1.5 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.23 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.23 A | 最大漏源导通电阻: | 7.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 5 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.4 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N7002DWS | DIODES |
获取价格 |
60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
2N7002DWT/R13 | PANJIT |
获取价格 |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS | |
2N7002DWT/R7 | PANJIT |
获取价格 |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS | |
2N7002DW-TP | MCC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET | |
2N7002DW-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, | |
2N7002DW-TPQ2 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | |
2N7002E | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
2N7002E | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel Enhanceent Mode Field Effect Transistor | |
2N7002E | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
2N7002E | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS FET |