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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N7002E-7-F
2N7002E-7-F PDF预览

2N7002E-7-F

更新时间： 2024-11-11 02:57:19
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 411K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2N7002E-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：0.45Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：248861
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：sot-23--
Samacsys Released Date：2020-02-09 02:42:44Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.24 A
最大漏极电流 (ID)：0.24 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7002E-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: 2N7002E  
2N7002E  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
Low On-Resistance: RDS(ON)  
SOT-23  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
A
Fast Switching Speed  
D
B
Low Input/Output Leakage  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
B
C
C
D
TOP VIEW  
G
S
D
E
E
Mechanical Data  
G
G
H
H
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Case: SOT-23  
K
Case Material: UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed  
over Alloy 42 leadframe).  
M
J
J
L
K
L
M
Terminal Connections: See Diagram  
Marking (See Page 2): K7B  
a
All Dimensions in mm  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Value  
60  
Units  
VDSS  
VDGR  
V
V
Drain-Source Voltage  
60  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
±20  
±40  
VGSS  
V
ID  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Drain Current  
Continuous  
240  
300  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
R
qJA  
417  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30376 Rev. 5 - 2  
1 of 4  
2N7002E  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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