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2N7002E9/3K

更新时间： 2024-01-30 06:32:16

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其他 - ETC		晶体晶体管
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5页	263K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 115MA I(D) \| TO-236AB

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2N7002E9/3K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.23	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.115 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2N7002E9/3K 数据手册

2N7002

DMOS Transistors (N-Channel)

TO-263AB (SOT-23)

.122 (3.1)

.110 (2.8)

.016 (0.4)

Top View

Mounting Pad Layout

Pin Configuration

1. Gate

2. Source

3. Drain

0.037 (0.95)

0.079 (2.0)

.037(0.95)

0.035 (0.9)

0.031 (0.8)

.102 (2.6)

.094 (2.4)

.016 (0.4) .016 (0.4)

Di_Dm_ime_en_ns_si_ioo_nn_ss_inin_incin_hec_sh_ae_ns_da_(mn_id_llim(m_eteil_rl_sim₎eters)

Mechanical Data

Features

Case: SOT-23 Plastic Package

• High input impedance

Weight: approx. 0.008g

• High-speed switching

Packaging Codes/Options:

• No minority carrier storage time

• CMOS logic compatible input

• No thermal runaway

E8/10K per 13” reel (8mm tape), 30K/box

E9/3K per 7” reel (8mm tape), 30K/box

• No secondary breakdown

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_DGS

V_GS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Gate-Source-Voltage (pulsed)

Drain Current (continuous)

Power Dissipation at T_C= 50°C

I_D

250

P_tot

0.310⁽¹⁾

Thermal Resistance Junction to Substrate

Backside

R_ΘSB

320⁽¹⁾

°C/W

Thermal Resistance Junction to Ambiant Air

Junction Temperature

R_ΘJA

T_j

450⁽¹⁾

150

°C/W

°C

Storage Temperature Range

T_S

–55 to +150

°C

Note:

(1) Ceramic Substrate 0.7mm; 2.5cm²area.

5/5/00

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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