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2N7002E9/3K

更新时间： 2024-01-12 08:34:03

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5页	263K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 115MA I(D) \| TO-236AB

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2N7002E9/3K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.23	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.115 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2N7002E9/3K 数据手册

2N7002

DMOS Transistors (N-Channel)

Electrical Characteristics(T_J= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_(BR)DSS

V_GS(th)

I_GSS

Test Condition

I_D= 100µA, V_GS= 0

V_GS= V_DS, I_D= 1mA

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= 25V, V_GS= 0V

V_GS= 10V, I_D= 500mA

Min

—

Typ

Max

—

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

Gate-Body Leakage Current

Drain Cutoff Current

2.5

—

µA

Ω

I_DSS

—

0.5

7.5

Drain-Source On-State Resistance

R_DS(on)

—

V_DS= 10V, I_D= 200mA,

f = 1 MHz

Forward Transconductance

Input Capacitance

g_m

—

200

—

V_DS= 10 V, V_GS= 0,

f = 1MHz

C_iss

Turn-On Time

Turn-Off Time

t_on

t_off

—

V_GS= 10V, V_DS= 10V

R_D= 100Ω

Note:

(1)Device on fiberglass substrate, see layout

Inverse Diode

Parameter

Symbol

Test Condition

Tamb = 25°C

Value

Unit

Max. Forward Current (continuous)

I_F

0.3

V_GS= 0V, I_F= 0.3A

Forward Voltage Drop (typ.)

V_F

0.85

°C

T_j= 25

Layout for R

test

thJA

Thickness: Fiberglass 0.059 in. (1.5 mm)

0.30 (7.5)

Copper leads 0.012 in. (0.3 mm)

0.12 (3)

.04 (1)

.08 (2)

.04 (1)

.08 (2)

0.59 (15)

0.03 (0.8)

0.47 (12)

0.2 (5)

Dimensions in inches and (millimeters)

0.06 (1.5)

0.20 (5.1)

123 4 5

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