是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.55 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | ULTRA-LOW RESISTANCE | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.115 A |
最大漏源导通电阻: | 5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 5 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N7002DWT/R7 | PANJIT | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS |
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2N7002DW-TP | MCC | N-Channel MOSFET |
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2N7002DW-TP-HF | MCC | Small Signal Field-Effect Transistor, |
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2N7002DW-TPQ2 | MCC | Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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2N7002E | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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2N7002E | KEXIN | N-Channel Enhanceent Mode Field Effect Transistor |
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