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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.52 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.385 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.385 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.83 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSS123-7-F | DIODES |
类似代替  |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2N7002LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 |
|
| BSS123LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7002E_10 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2N7002E_11 | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N.Channel, SOT.23 |
|
| 2N7002E_15 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| 2N7002E-13 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2N7002E-13-F | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| 2N7002-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| 2N7002E-7 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2N7002E-7-F | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2N7002E8/10K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB |
|
| 2N7002E9/3K | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB |
|
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