2N7002E

更新时间： 2024-01-08 18:04:09

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	80K
描述
N-channel TrenchMOS FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N7002E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002E 数据手册

2N7002E

Philips Semiconductors

N-channel TrenchMOS™ FET

6. Characteristics

Table 5:

Characteristics

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Static characteristics

V_(BR)DSSdrain-source breakdown voltage

I_D= 10 µA; V_GS= 0 V

T_j= 25 °C

T_j= −55 °C

V_GS(th)

gate-source threshold voltage

drain-source leakage current

I_D= 1 mA; V_DS= V_GS; Figure 9 and 10

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

0.6

T_j= −55 °C

3.5

I_DSS

V_DS= 48 V; V_GS= 0 V

T_j= 25 °C

0.01

µA

T_j= 150 °C

100

I_GSS

gate-source leakage current

V_GS= ±15 V; V_DS= 0 V

V_GS= 10 V; I_D= 500 mA; Figure 6 and 8

T_j= 25 °C

R_DSon

drain-source on-state resistance

2.3

4.2

3.1

Ω

T_j= 150 °C

5.55

V_GS= 4.5 V; I_D= 75 mA; Figure 6 and 8

Dynamic characteristics

g_fs

forward transconductance

V_DS= 10 V; I_D= 200 mA

100

300

7.5

C_iss

C_oss

C_rss

t_on

input capacitance

V_GS= 0 V; V_DS= 10 V; f = 1 MHz;

Figure 11

output capacitance

reverse transfer capacitance

turn-on delay time

V_DD= 50 V; R_L= 250 Ω; V_GS= 10 V;

R_G= 50 Ω; R_GS= 50 Ω

t_off

turn-off delay time

Source-drain diode

V_SD

t_rr

source-drain (diode forward) voltage I_S= 300 mA; V_GS= 0 V; Figure 12

0.85 1.5

reverse recovery time

recovered charge

I_S= 300 mA; dI_S/dt = −100 A/µs;

_GS= 0 V

Q_r

9397 750 14944

Product data sheet

Rev. 02 — 26 April 2005

5 of 11

1 2 3 456 7 8...11

下载PDF

与2N7002E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002E_10	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002E_11	ONSEMI	Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N.Channel, SOT.23	获取价格
2N7002E_15	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
2N7002E-13	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7002E-13-F	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
2N7002-E3	VISHAY	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	获取价格