2N7002E

更新时间： 2024-01-13 09:39:26

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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11页	80K
描述
N-channel TrenchMOS FET

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2N7002E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002E 数据手册

2N7002E

Philips Semiconductors

N-channel TrenchMOS™ FET

7. Package outline

Plastic surface mounted package; 3 leads

SOT23

w M

detail X

2 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT

max.

1.1

0.9

0.48

0.38

0.15

0.09

3.0

2.8

1.4

1.2

2.5

2.1

0.45

0.15

0.55

0.45

0.1

1.9

0.95

0.2

0.1

REFERENCES

EUROPEAN

PROJECTION

OUTLINE

VERSION

ISSUE DATE

IEC

JEDEC

JEITA

99-09-13

04-11-04

SOT23

TO-236AB

Fig 13. Package outline SOT23

9397 750 14944

Product data sheet

Rev. 02 — 26 April 2005

8 of 11

1...5 6 789 10 11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N7002-E3	VISHAY	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	获取价格