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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> BSS123-7-F
BSS123-7-F PDF预览

BSS123-7-F

更新时间： 2024-02-26 19:48:56
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 359K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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BSS123-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：0.49
Samacsys Confidence：Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：235970Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Undefined or MiscellaneousSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：SOT95P240X110-3NSamacsys Released Date：2017-01-11 16:09:24
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.17 A
最大漏极电流 (ID)：0.17 A最大漏源导通电阻：10 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：6 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSS123-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: BSS123  
BSS123  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
Low Gate Threshold Voltage  
SOT-23  
Low Input Capacitance  
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
Fast Switching Speed  
A
D
Low Input/Output Leakage  
High Drain-Source Voltage Rating  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
B
B
C
C
TOP VIEW  
D
G
S
D
E
E
G
Mechanical Data  
H
G
H
·
Case: SOT-23  
K
M
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
J
J
L
K
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Drain  
L
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
M
a
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: K23 (See Page 3)  
Gate  
All Dimensions in mm  
Ordering & Date Code Information: See Page 3  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
Source  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic Symbol  
Maximum Ratings  
BSS123  
100  
Units  
VDSS  
VDGR  
VGSS  
V
V
V
Drain-Source Voltage  
100  
Drain-Gate Voltage RGS £ 20KW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
±20  
ID  
IDM  
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Pulsed  
170  
680  
mA  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
300  
417  
mW  
°C/W  
°C  
R
qJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30366 Rev. 6 - 2  
1 of 4  
BSS123  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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