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2N7002E

更新时间： 2024-02-11 12:15:19
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
N-Channel Enhanceent Mode Field Effect Transistor

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2N7002E 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.55Is Samacsys：N
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

2N7002E 数据手册

  
SMD Type  
MOSFET  
N-Channel Enhanceent Mode  
Field Effect Transistor  
2N7002E  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
2.9  
-0.1  
+0.1  
0.4  
-0.1  
3
Features  
Low On-Resistance: RDS(ON)  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
1
2
+0.1  
0.95  
-0.1  
+0.05  
0.1  
-0.01  
+0.1  
1.9  
-0.1  
1 GATE  
2 SOURCE  
3 DRAIN  
Absolute Maximum Ratings Ta=25  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
60  
60  
VDGR  
V
Drain-Gate Voltage  
RGS  
1.0 m  
Gate-Source Voltage -Continuous  
Pulsed  
20  
VGSS  
V
40  
Drain Current -Continuous  
Power Dissipation  
ID  
240  
mA  
mW  
W
PD  
300  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
R
JA  
417  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
Testconditons  
VGS = 0V, ID = 10  
Min  
Typ  
70  
Max  
Unit  
V
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current @ TC = 25  
@ TC = 125  
VDSS  
60  
A
1.0  
500  
10  
2.5  
3
IDSS  
VDS = 60V, VGS = 0V  
A
Gate-Body Leakage  
IGSS  
nA  
V
VGS = 15V, VDS = 0V  
VDS = VGS, ID = 250mA  
VGS = 10V, ID = 250mA  
VGS = 4.5V, ID = 200mA  
VGS = 10V, VDS = 7.5V  
VDS =10V, ID = 0.2A  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th)  
1.0  
1.6  
2.0  
1.0  
RDS (ON)  
Static Drain-Source On-Resistance @ Tj = 25  
4
On-State Drain Current  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
ID(ON)  
gFS  
0.8  
80  
A
mS  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
22  
11  
50  
25  
VDS = 25V, VGS = 0V,f = 1.0MHz  
Output Capacitance  
Coss  
Crss  
Reverse Transfer Capacitance  
2.0  
5.0  
Turn-On Delay Time  
Turn-Off Delay Time  
tD(ON)  
7.0  
11  
20  
20  
ns  
ns  
VDD = 30V, ID = 0.2A,RL = 150 ,VGEN  
= 10V,RGEN = 25  
tD(OFF)  
Marking  
Marking  
K7B  
1
www.kexin.com.cn  
1

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