是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.53 | 其他特性: | ULTRA-LOW RESISTANCE |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.115 A | 最大漏源导通电阻: | 5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 5 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N7002DW-TP | MCC |
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N-Channel MOSFET | |
2N7002DW-TP-HF | MCC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
2N7002DW-TPQ2 | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | |
2N7002E | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
2N7002E | KEXIN |
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N-Channel Enhanceent Mode Field Effect Transistor | |
2N7002E | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
2N7002E | NXP |
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N-channel TrenchMOS FET | |
2N7002E | TYSEMI |
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Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance | |
2N7002E | ONSEMI |
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Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N−Channel, SOT−23 | |
2N7002E | YANGJIE |
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SOT-523 |