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2N7002DWT/R7

更新时间： 2024-01-30 23:46:17
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 112K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS

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2N7002DWT/R7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.53其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.115 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7002DWT/R7 数据手册

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2N7002DW  
T = 25°C Unless otherwise noted  
Electrical Characteristics (Each Device)  
J
OFF CHARACTERISTICS (Note 3)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Units  
BV  
Drain-Source Breakdown Voltage  
I = 10µA, V = 0V  
60  
-
80  
-
-
V
DSS  
GS  
D
T =25°C  
1.0  
500  
±10  
J
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
µA  
nA  
V
= 60V, V = 0  
DSS  
DS  
GS  
T =125°C  
-
-
J
I
-
-
Gate-Body Leakage  
V
= ±20V, V = 0V  
GSS  
GS  
DS  
ON CHARACTERISTICS (Note 3)  
Parameter  
Gate Threshold Voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
1.0  
-
Typ  
1.6  
1.8  
2.0  
1.65  
-
Max Units  
V
V
= V , I = 250µA  
D
GS  
2.0  
4.5  
7.0  
-
V
GS(th)  
DS  
V
= 5V, I = 0.05A  
D
GS  
R
Static Drain-Source On-Resistance  
Ohms  
DS(ON)  
-
V
= 10V, I = 0.5A  
D
GS  
I
On-State Drain Current  
0.5  
0.08  
A
S
D(ON)  
V
V
= 10V, V = 7.5V  
DS  
GS  
g
= 10V, I = 0.2A  
-
Forward Transconductance  
D
FS  
DS  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Parameter  
Input Capacitance  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Units  
C
-
-
-
-
50  
pF  
iss  
V
V
= 25V,  
DS  
= 0V,  
C
oss  
Output Capacitance  
-
-
25  
5.0  
pF  
pF  
GS  
f = 1.0MHz  
C
Reverse Transfer Capacitance  
rss  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Units  
Turn-On Delay Time  
t
-
-
-
-
20  
20  
ns  
ns  
D(ON)  
V =30V, I =0.2A, R =150ohm  
L
DD  
D
R
= 25ohm, V  
= 10V  
GEN  
GEN  
t
Turn-Off Delay Time  
D(OFF)  
Note 3. Short duration test pulse used to minimize self-heating  
8/11/2005  
Page 2  
www.panjit.com  
1234

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