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2N7002DWT/R7

更新时间： 2024-01-15 17:56:20

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管开关光电二极管
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4页	112K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS

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2N7002DWT/R7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.53	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.115 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002DWT/R7 数据手册

2N7002DW

Typical Characteristics Curves (Each Device)

T = 25°C Unless otherwise noted

1.2

V_DS=10V

5.0V

0.8

4.0V

0.8

0.6

0.4

0.2

0.6

V_G
S= 6V, 7V, 8V, 9V, 10V

0.4

25^oC

3.0V

0.2

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

_DS- Drain-to-Source Voltage (V)

Fig. 1. Output Characteristics

Fig. 2. Transfer Characteristics

V_GS4.5V

Ids=500mA

Ids=50mA

V_GS=10.0V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

I_D- Drain Current (A)

Fig. 3. On-Resistance vs. Drain Current

Fig. 4. On-Resistance vs. G-S Voltage

1.1

I =250 A

V_GS= 0V

1.05

0.1

0.95

0.9

0.85

0.8

^oC

0.01

-50 -25

25 50

75 100 125 150

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

T_J- Junction Temperature (^oC)

V_SD- Source-to-DrainVoltage (V)

Fig. 5. Threshold Voltage vs. Temperature

Fig. 6. Sourse-Drain Diode Forward Voltage

8/11/2005

www.panjit.com

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与2N7002DWT/R7相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002DW-TP	MCC	N-Channel MOSFET	获取价格
2N7002DW-TP-HF	MCC	Small Signal Field-Effect Transistor,	获取价格
2N7002DW-TPQ2	MCC	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;	获取价格
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2N7002E	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格