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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 16 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5630 | NJSEMI |
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N5630 | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5630 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device |
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| 2N5630 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5630 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5630 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5630 | ASI |
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Transistor |
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| 2N5630E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N5630PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
|
| 2N5631 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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