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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.66 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 16 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5631/D | ONSEMI |
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High-Voltage High-Power Transistors |
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| 2N5631E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5631G | ONSEMI |
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16A, 140V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN |
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| 2N5632 | CENTRAL |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2N5632 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5632 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5632 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5632 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5632 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N5632E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-6 |
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