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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3 | 包装说明： | CASE 1-07, TO-3, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.49 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 16 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5632 | CENTRAL |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2N5632 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5632 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5632 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5632 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5632 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N5632E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-6 |
|
| 2N5632LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N5632PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| 2N5633 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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