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| 生命周期： | Active | 包装说明： | TO-63, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-63 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-X3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5632LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N5632PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| 2N5633 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5633 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5633 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| 2N5633 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE-HIGH-POWER |
|
| 2N5633 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5633 | ASI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N5633 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5633LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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