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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5633LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N5634 | CENTRAL |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2N5634 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device |
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| 2N5634 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 140V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N5634 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5634 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5634 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5634 | ASI |
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Transistor |
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| 2N5634E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-6 |
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| 2N5634LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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