是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.27 |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 集电极-发射极最大电压: | 120 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 5 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 1 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5634 | CENTRAL |
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SILICON POWER TRANSISTOR | |
2N5634 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device | |
2N5634 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 140V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
2N5634 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N5634 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N5634 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N5634 | ASI |
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Transistor | |
2N5634E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-6 | |
2N5634LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
2N5634PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |