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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.26 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5634E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-6 |
|
| 2N5634LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N5634PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
|
| 2N5635 | NJSEMI |
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BIPOLAR NPN UHF/MICROWAVE TRANSISTOR |
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| 2N5636 | NJSEMI |
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BIPOLAR NPN UHF/MICROWAVE TRANSISTOR |
|
| 2N5637 | NJSEMI |
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BIPOLAR NPN UHF/MICROWAVE TRANSISTOR |
|
| 2N5638 | MOTOROLA |
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30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
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| 2N5638 | NJSEMI |
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N-CHANNEL JFET |
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| 2N5638 | FAIRCHILD |
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N-Channel Switch |
|
| 2N5638 | ONSEMI |
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JFET Chopper Transistors |
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