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2N5632

更新时间: 2024-11-23 21:54:55
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CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 88K
描述
SILICON POWER TRANSISTOR

2N5632 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-204AA
包装说明:TO-3, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.25
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1 MHz
Base Number Matches:1

2N5632 数据手册

  
TM  
Central  
Semiconductor Corp.  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  

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