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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 16 A | 基于收集器的最大容量： | 500 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5631 | ONSEMI | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N5631 | NJSEMI | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N5631 | ASI | Transistor |
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| 2N5631 | FAIRCHILD | Transistor, |
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| 2N5631 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5631 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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