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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5631/D | ONSEMI |
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High-Voltage High-Power Transistors |
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| 2N5631E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5631G | ONSEMI |
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16A, 140V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN |
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| 2N5632 | CENTRAL |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2N5632 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5632 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5632 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5632 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5632 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5632E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-6 |
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