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2N5631

更新时间： 2024-11-23 22:35:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 122K
描述
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

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2N5631 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3包装说明：CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.41
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：4
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1 MHz
Base Number Matches：1

2N5631 数据手册

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ON Semiconductort  
NPN  
2N5631  
High-Voltage - High Power  
Transistors  
PNP  
2N6031  
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and  
high voltage switching regulator circuits.  
• High Collector Emitter Sustaining Voltage –  
16 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
V
= 140 Vdc  
CEO(sus)  
• High DC Current Gain – @ I = 8.0 Adc  
C
h
FE  
= 15 (Min)  
140 VOLTS  
200 WATTS  
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage –  
= 1.0 Vdc (Max) @ I = 10 Adc  
V
CE(sat)  
C
MAXIMUM RATINGS (1)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
140  
140  
7.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
CB  
EB  
V
Collector Current – Continuous  
Peak  
I
C
16  
20  
CASE 1–07  
TO–204AA  
(TO–3)  
Base Current – Continuous  
I
B
5.0  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
200  
1.14  
Watts  
C
D
Derate above 25_C  
W/_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
–65 to +200  
_C  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS (1)  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(1) Indicates JEDEC Registered Data.  
200  
θ
0.875  
_C/W  
JC  
150  
100  
50  
0
0
20  
40  
60  
80  
100 120 140 160 180 200  
T , TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All Limits are applicable and must be observed.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
May, 2001 – Rev. 0  
2N5631/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5631/D ONSEMI

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2N5631E3 MICROSEMI

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2N5631G ONSEMI

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 		16A, 140V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
2N5632 CENTRAL

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2N5632E3 MICROSEMI

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