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2N5631

更新时间： 2024-02-21 04:00:18

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5631 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3	包装说明：	CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.49
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1 MHz	Base Number Matches：	1

2N5631 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2N5631

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2N6031

·High collector-emitter sustaining voltage

·High DC current gain

·Low collector-emitter saturation voltage

APPLICATIONS

·For high power audio amplifier and

high voltage switching regulator

circuits applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

140

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

5.0

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

150

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

0.875

℃/W

JMnic

12 3

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