5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 16 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5630E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N5630PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| 2N5631 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
|
| 2N5631 | NJSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
|
| 2N5631 | ASI |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2N5631 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor, |
|
| 2N5631 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5631 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5631 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5631/D | ONSEMI |
获取价格 |
High-Voltage High-Power Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
