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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 16 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5630E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5630PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| 2N5631 | ONSEMI |
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N5631 | NJSEMI |
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N5631 | ASI |
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Transistor |
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| 2N5631 | FAIRCHILD |
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Transistor, |
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| 2N5631 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5631 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5631 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5631/D | ONSEMI |
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High-Voltage High-Power Transistors |
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