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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> ZXMN3B04N8TC
ZXMN3B04N8TC PDF预览

ZXMN3B04N8TC

更新时间： 2024-10-30 07:42:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 栅极栅极驱动
页数 文件大小 规格书
7页 164K
描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE

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ZXMN3B04N8TC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：7.2 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZXMN3B04N8TC 数据手册

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ZXMN3B04N8  
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE  
SUMMARY  
V
=30V : R  
(
)=0.025 ; I = 8.9A  
(BR)DSS  
DS on D  
DESCRIPTION  
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique  
structure that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching  
speed. This m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power  
m anagem ent applications.  
SO8  
FEATURES  
• Low on-resistance  
• Fast switching speed  
• Low threshold  
• Low gate drive  
• Low profile SOIC package  
APPLICATIONS  
• DC - DC converters  
• Power m anagem ent functions  
• Disconnect switches  
• Motor control  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL  
SIZE  
TAPE  
WIDTH  
QUANTITY  
PER REEL  
ZXMN3B04N8TA  
7”  
12m m  
12m m  
500 units  
ZXMN3B04N8TC  
13”  
2500 units  
Top View  
DEVICE MARKING  
• ZXMN  
3B04  
ISSUE 2 - MAY 2004  
1
S E M IC O N D U C T O R S  
1234567

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