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ZXMN3B14FTC

更新时间： 2024-01-08 20:13:27

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捷特科 - ZETEX		晶体栅极小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
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描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE

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ZXMN3B14FTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2.9 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN3B14FTC 数据手册

ZXMN3B14F

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE

SUMMARY

=30V : R

(

)=0.08 ; I =3.5A

(BR)DSS

DS on D

DESCRIPTION

This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that

combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes

them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

FEATURES

PACKAGE

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• SOT23 package

APPLICATIONS

• DC-DC converters

• Power m anagem ent functions

• Disconnect switches

• Motor control

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN3B14FTA

7”

8m m

3,000 units

ZXMN3B14FTC

13”

10,000 units

DEVICE MARKING

• 3B14

ISSUE 1 - J UNE 2005

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7

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